SK07N65B
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):126W(Tc) 类型:N沟道
SK07N65B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)126W(Tc)
类型N沟道
SK07N65B
SK07N65B的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | SK07N65B | SHIKUES(时科) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):126W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.7063 10+:¥1.2829 30+:¥1.2052 100+:¥1.1274 500+:¥1.0929 1000+:¥1.0758
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 立创商城 | SK07N65B-TF | SHIKUES(时科) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.6945 10+:¥1.2427 30+:¥1.1597 100+:¥1.0767 500+:¥1.0398 1000+:¥1.0216
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