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SK04N65B /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):86W(Tc) 类型:N沟道
SK04N65B的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻2.6Ω @ 2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)86W(Tc)

类型N沟道

供应商SK04N65B
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SK04N65BSHIKUES(时科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):86W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.0919
10+:¥0.821
30+:¥0.7712
100+:¥0.7215
500+:¥0.6993
1000+:¥0.6884