驱动配置：半桥

通道类型：同步

驱动器数：2

栅极类型：N 沟道 MOSFET

电压 - 电源：10.8 V ~ 13.2 V

逻辑电压 - VIL，VIH：1V，4V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：800mA，1A

输入类型：非反相

高压侧电压 - 最大值（自举）：48V

上升/下降时间（典型值）：45ns，35ns

工作温度：-40°C ~ 125°C （TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs