封装/外壳：--

Packing Type：WAFER SAWN

VDS max：1200.0V

Technology：Emitter Controlled Diode Fast

IR max：250.0µA

IF max：25.0A

VF：2.1 V

I(FSM) max：50.0A

RoHS compliant：yes

Packing Type：WAFER SAWN

VDS max：1200.0V

Technology：Emitter Controlled Diode Fast

IR max：250.0µA

VDS max：1200.0 V

IF max：25.0A

VF：2.1 V

IF max：25.0 A

IR max：250.0 µA

I(FSM) max：50.0A

I(FSM) max：50.0 A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs