封装/外壳：--

Packing Type：WAFER SAWN

VDS max：1200.0V

Technology：Emitter Controlled Diode Fast

IR max：250.0µA

IF max：5.0A

VF：2.1V

I(FSM) max：10.0A

RoHS compliant：yes

Packing Type：WAFER SAWN

VDS max：1200.0V

Technology：Emitter Controlled Diode Fast

IR max：250.0µA

VDS max：1200.0 V

IF max：5.0A

VF：2.1V

IF max：5.0 A

IR max：250.0 µA

I(FSM) max：10.0A

I(FSM) max：10.0 A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs