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SICRD101200TR /DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
SICRD101200TR的规格信息
SICRD101200TR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

包装标准卷带

系列-

零件状态有源

二极管类型碳化硅肖特基

电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1200V

电流 - 平均整流(Io)10A

不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.8V @ 10A

速度无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间(trr)0ns

不同Vr 时的电流 - 反向漏电流100µA @ 1200V

不同Vr,F 时的电容640pF @ 0V, 1MHz

安装类型表面贴装型

封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装DPAK

工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

供应商SICRD101200TR
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