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SI8457DB-T1-E1 /MOSFET -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
SI8457DB-T1-E1的规格信息
SI8457DB-T1-E1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:MicroFoot-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:10.2 A

Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:93 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:SI8

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:26 S

下降时间:210 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:60 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:300 ns

典型接通延迟时间:27 ns

供应商SI8457DB-T1-E1
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI8457DB-T1-E1深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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