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SI4736DY-T1-E3 /MOSFET 30V 13A 1.4W
SI4736DY-T1-E3的规格信息
SI4736DY-T1-E3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:30 V

闸/源击穿电压:+/- 12 V

漏极连续电流:9 A

导通电阻:9.5 mOhms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:14 ns

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:1.4 W

上升时间:14 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:102 ns

零件号别名:SI4736DY-E3

ROHS: 含铅

供应商SI4736DY-T1-E3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4736DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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