系列：SkyFET®，TrenchFET®
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：14.6A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：28nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1084pF @ 15V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），5W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：13 毫欧 @ 15A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package：SOIC-8
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：14.6A
漏源极导通电阻RDS(ON)：13mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)：2.5V
无铅情况/RoHs：否