系列SkyFET®，TrenchFET®

FET类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）38A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）87nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）3450pF @ 15V

Vgs（最大值）±20V

功率耗散（最大值）3.5W（Ta），7.8W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）3 毫欧 @ 20A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式PackageSOIC-8

极性PolarityN-CH

漏源极击穿电压VDSS30V

连续漏极电流ID38A

漏源极导通电阻RDS(ON)2.4mOhms

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs