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SI3400A-TP /MOSFET -30V, -4.2A,P Channe l Mosfet
SI3400A-TP的规格信息
SI3400A-TP的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Micro Commercial Components (MCC)

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:5.8 A

Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:400 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:N-Ch Polarity

商标:Micro Commercial Components (MCC)

正向跨导 - 最小值:8 S

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:5 ns

供应商SI3400A-TP
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SI3400A-TPMOSFET -30V, -4.2A,P Channe l MosfetMicro Commercial Components (MCC)Micro Commercial Components (MCC)的LOGO600.9 Kbytes共4页SI3400A-TP的PDF下载地址
SI3400A-TP连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道MCC(美微科)MCC(美微科)的LOGO497.23 Kbytes共4页SI3400A-TP的PDF下载地址
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SI3400A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET -30V, -4.2A,P Channe l Mosfet1:¥5.4579
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SI3400A-TPMCC(美微科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道10+:¥0.4992
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