包装标准卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）660mA

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）500毫欧 @ 150mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）1.1V @ 250µA

Vgs（最大值）±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）113pF @ 16V

FET 功能-

功率耗散（最大值）100mW

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装DFN1006-3

封装/外壳SC-101，SOT-883