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SGL160N60UFDTU /IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT
SGL160N60UFDTU的规格信息
SGL160N60UFDTU的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-264-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.1 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:160 A

Pd-功率耗散:250 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:SGL160N60UFD

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:160 A

高度:26 mm

长度:20 mm

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:80 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:375

子类别:IGBTs

零件号别名:SGL160N60UFDTU_NL

单位重量:6.756 g

供应商SGL160N60UFDTU
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SGL160N60UFDTU深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SGL160N60UFDTU深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市泓建半导体有限公司SGL160N60UFDTU深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B1218617195508
18617195508
蔡永记Email:18617195508@163.com询价
深圳市维基鸿电子有限公司SGL160N60UFDTU赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
13590238352,13058174971, 18123793983, 13148740189, 13632918917
文小姐,米小姐,朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
深圳市威雅利发展有限公司SGL160N60UFDTU华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司SGL160N60UFDTU广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SGL160N60UFDTU地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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集好芯城SGL160N60UFDTU深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷半导体有限公司SGL160N60UFDTU深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城SGL160N60UFDTU深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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芯莱德电子(香港)有限公司SGL160N60UFDTU深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市辉华拓展电子有限公司SGL160N60UFDTU深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市高捷芯城科技有限公司SGL160N60UFDTU深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市宇浩扬科技有限公司SGL160N60UFDTU深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市辉华拓展电子有限公司SGL160N60UFDTU深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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SGL160N60UFDTUIGBT 晶体管 Dis High Perf IGBTON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO777.45 Kbytes共11页SGL160N60UFDTU的PDF下载地址
SGL160N60UFDTUIGBT 600V 160A 250W TO264ON SemiconductorON Semiconductor的LOGO778.53 Kbytes共10页SGL160N60UFDTU的PDF下载地址
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SGL160N60UFDTU栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 80mA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.6V @ 15V,80A 集电极电流(Ic)(最大值):160A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-ON(安森美)ON(安森美)的LOGO662.13 Kbytes共8页SGL160N60UFDTU的PDF下载地址
SGL160N60UFDTU.IGBT, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 引脚ONSEMIONSEMI的LOGO761.14 Kbytes共10页SGL160N60UFDTU.的PDF下载地址
SGL160N60UFDTU的全球分销商及价格
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Am2
SGL160N60UFDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥87.21
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
SGL160N60UFDTUON SemiconductorIGBT 600V 160A 250W TO264$8.13000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
SGL160N60UFDTUON Semiconductor / FairchildIGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT375:¥48.7143
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元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SGL160N60UFDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥87.21
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SGL160N60UFDTUON(安森美)栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 80mA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.6V @ 15V,80A 集电极电流(Ic)(最大值):160A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-1+:¥26.83
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