产品种类MOSFET

晶体管极性P-Channel

汲极/源极击穿电压- 60 V

闸/源击穿电压+/- 30 V

漏极连续电流- 5.3 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.5 Ohms

配置Single

最大工作温度+ 175 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-220F

封装Tube

下降时间16 ns

正向跨导 gFS（最大值/最小值）2.2 S

最小工作温度- 55 C

功率耗散24 W

上升时间19 ns

工厂包装数量50

典型关闭延迟时间21 ns