产品种类MOSFET

晶体管极性P-Channel

汲极/源极击穿电压- 100 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流- 19 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.2 Ohms

配置Single

最大工作温度+ 175 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-3P

封装Tube

下降时间26 ns

正向跨导 gFS（最大值/最小值）9.7 S

最小工作温度- 55 C

功率耗散166 W

上升时间22 ns

工厂包装数量30

典型关闭延迟时间45 ns