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SESD1Z12V /反向关断电压(典型值):12V 击穿电压(最小值):13.3V 峰值脉冲电流(10/1000us):- 极性:Unidirectional 箝位电压:-
SESD1Z12V的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型ESD二极管

反向关断电压(典型值)12V

击穿电压(最小值)13.3V

极性Unidirectional

箝位电压-

峰值脉冲电流(10/1000us)-

供应商SESD1Z12V
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深圳市天卓伟业电子有限公司SESD1Z12V深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
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深圳市赛美科科技有限公司SESD1Z12V-TG-WS广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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SESD1Z12V反向关断电压(典型值):12V 击穿电压(最小值):13.3V 峰值脉冲电流(10/1000us):- 极性:Unidirectional 箝位电压:-SINO-IC(光宇睿芯)SINO-IC(光宇睿芯)的LOGO224.24 Kbytes共4页SESD1Z12V的PDF下载地址
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SESD1Z12VSINO-IC(光宇睿芯)反向关断电压(典型值):12V 击穿电压(最小值):13.3V 峰值脉冲电流(10/1000us):- 极性:Unidirectional 箝位电压:-20+:¥0.134697
200+:¥0.10221
600+:¥0.096243
2000+:¥0.090276
10000+:¥0.087624
20000+:¥0.086314