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SE9400 /
SE9400的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:PNP - 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 150mA,7.5A

电流 - 集电极截止(最大值):200µA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 7.5A,3V

功率 - 最大值:70W

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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深圳市宇浩扬科技有限公司SE9400深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SE9400SILICON PNP TRANSISTOR CENTRAL[Central Semiconductor Corp]CENTRAL[Central Semiconductor Corp]的LOGO64.8 Kbytes共1页SE9400的PDF下载地址MMBR4957LT1,2SA1226,2SA1977,2SB804,NTE2314,NTE395,MMUN2111LT1,UN4111,XN1118,XN4482
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