SE80130G
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.3mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：160W(Tc) 类型：N沟道
SE80130G的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）130A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻4.3mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）160W(Tc)
类型N沟道
SE80130G
SE80130G的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | SE80130G | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.3mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：160W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥5.92
10+:￥4.43
30+:￥4.15
100+:￥3.88
500+:￥3.76
1000+:￥3.7
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10+:￥4.24
30+:￥3.97
100+:￥3.69
500+:￥3.57
1000+:￥3.51
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