SE6880
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):68V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:N沟道
SE6880的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)68V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8.5mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)110W
类型N沟道
SE6880
SE6880的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | SE6880 | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):68V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:N沟道 | 1+:¥2.0134 10+:¥1.5236 30+:¥1.4336 100+:¥1.3436 500+:¥1.3037 1000+:¥1.2839
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 立创商城 | SE6880A | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.0064 10+:¥1.5166 30+:¥1.4267 100+:¥1.3367 500+:¥1.2967 1000+:¥1.2769
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