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SE2301 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道
SE2301的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.8A

栅源极阈值电压450mV @ 250uA(最小)

漏源导通电阻100mΩ @ 2.8A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)900mW

类型P沟道

供应商SE2301
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SE2301SINO-IC(光宇睿芯)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道20+:¥0.18757
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