SE12N65F的供应商，SE12N65F规格参数，SE12N65F的PDF资料

SE12N65F /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W 类型：N沟道

SE12N65F的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻750mΩ @ 6A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）156W

类型N沟道

SE12N65F

SE12N65F的供应商,可免费索样

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深圳市博浩通科技有限公司	SE12N65F	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SE12N65F	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	SE12N65F	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SE12N65F	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	SE12N65F	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市雄创芯业电子科技有限公司	SE12N65F	深圳市龙岗区吉星花园7栋306	13631670223	徐小姐	询价

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SE12N65F	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W 类型：N沟道	SINO-IC(光宇睿芯)		384.12 Kbytes	共7页		无

SE12N65F的全球分销商及价格

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立创商城	SE12N65F	SINO-IC(光宇睿芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W 类型：N沟道	1+:￥3.42 10+:￥2.47 30+:￥2.3 100+:￥2.12 500+:￥2.05 1000+:￥2.01

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