SE01P13K
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:P沟道
SE01P13K的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)13A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻200mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)40W
类型P沟道
SE01P13K
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
SE01P13K | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:P沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 453.27 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SE01P13K的全球分销商及价格
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 立创商城 | SE01P13K | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:P沟道 | 1+:¥1.0848 10+:¥0.8249 30+:¥0.7772 100+:¥0.7294 500+:¥0.7082 1000+:¥0.6977
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