系列：SDM

单位重量：1 mg

工作温度：- 65 C to + 125 C

高度：0.65 mm

长度：1.3 mm

类型：Schottky Barrier Diode

宽度：0.9 mm

最大工作温度：+ 125 C

最小工作温度：- 65 C

技术：Si

安装风格：SMD/SMT

Ifsm-正向浪涌电流：1:00 AM

配置：Single

Vf-正向电压：0.6 V at 0.2 A

Pd-功率耗散：150 mW

Ir-反向电流：5 uA at 30 V

Vrrm-重复反向电压：40 V

If-正向电流：0.25 A

trr-反向恢复时间：10 ns

二极管类型：肖特基

电压-DC反向（Vr）（最大值）：40V

电流-平均整流（Io）：250mA（DC）

不同If时的电压-正向（Vf）：600mV @ 200mA

速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间（trr）：10ns

不同 Vr时的电流-反向漏电流：5µA @ 30V

不同 Vr，F时的电容：50pF @ 0V，1MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOD-523

工作温度-结：-65°C ~ 125°C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs