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SD2932W /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
SD2932W的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:40 A

Vds-漏源极击穿电压:125 V

增益:16 dB

输出功率:300 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:M244

封装:Tube

配置:Dual

工作频率:250 MHz

系列:SD2932

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

Pd-功率耗散:500 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:90

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

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SD2932WSTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥1108.25
10+:¥1035.83
100+:¥963.4
250+:¥934.42
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SD2932WSTMicroelectronicsIC TRANS RF HF/VHF/UHF$157.50000
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Mouser 贸泽电子
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