制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:是

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:35

集电极—发射极最大电压 VCEO:18 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极连续电流:1 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:M135

封装:Tray

工作频率:150 MHz

类型:RF Bipolar Power

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

Pd-功率耗散:10 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

子类别:Transistors