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SCTH35N65G2V-7 /SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
SCTH35N65G2V-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)45A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V,20V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)67毫欧 @ 20A,20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)73nC @ 20V

Vgs(最大值)+22V,-10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1370pF @ 400V

FET 功能-

功率耗散(最大值)208W(Tc)

工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装H2PAK-7

封装/外壳TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

供应商SCTH35N65G2V-7
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深圳市辉华拓展电子有限公司SCTH35N65G2V-7深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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SCTH35N65G2V-7Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an H2PAK-7 package STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO378.86 Kbytes共15页SCTH35N65G2V-7的PDF下载地址
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SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsSICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7$12.13000
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