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SC8205S /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道
SC8205S的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻25mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型双N沟道

供应商SC8205S
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SC8205S连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道FM富满FM富满的LOGO328.80 Kbytes共4页SC8205S的PDF下载地址
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SC8205SFM富满连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道10+:¥0.452475
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10000+:¥0.317754