系列：SBR

单位重量：2.300 g

工作温度：- 65 C to + 150 C

高度：15.2 mm

长度：10.36 mm

类型：Switching Diode

宽度：4.7 mm

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 65 C

技术：Si

安装风格：Through Hole

Ifsm-正向浪涌电流：110 A

配置：Dual Common Cathode

Vf-正向电压：0.9 V

Ir-反向电流：100 uA

Vrrm-重复反向电压：200 V

If-正向电流：10:00 AM

二极管配置：1 对共阴极

二极管类型：超级势垒

电压-DC反向（Vr）（最大值）：200V

电流-平均整流（Io）（每二极管）：5A

不同If时的电压-正向（Vf）：900mV @ 5A

速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间（trr）：20ns

不同 Vr时的电流-反向漏电流：100µA @ 200V

工作温度-结：-65°C ~ 150°C

安装类型：通孔

封装/外壳：ITO-220AB

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs