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SBCW30LT1G /ON Semiconductor/分立半导体产品
SBCW30LT1G的规格信息
SBCW30LT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):32V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):215 @ 2mA,5V

功率 - 最大值:300mW

频率 - 跃迁:-

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

供应商SBCW30LT1G
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