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S8550-B-AP /DIODE
S8550-B-AP的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装带盒(TB)

系列-

零件状态停產

晶体管类型PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值)500mA

电压 - 集射极击穿(最大值)25V

不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)600mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值)200nA

不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)85 @ 50mA,1V

功率 - 最大值625mW

频率 - 跃迁150MHz

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型通孔

封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)

供应商器件封装TO-92

供应商S8550-B-AP
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