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S8205S /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tj) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 5A,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道
S8205S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A(Tj)

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻25mΩ @ 5A,4V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W

类型双N沟道

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S8205SHottech(合科泰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tj) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 5A,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道10+:¥0.297072
100+:¥0.2271
300+:¥0.214248
1000+:¥0.201396
5000+:¥0.195684
10000+:¥0.192862