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S29GL512P11FFIV10 / NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8bit/16bit 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL512P11FFIV10的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

包装：64Fortified BGA

电池类型：NOR

密度：512 Mb

建筑：Sectored

块组织：Symmetrical

典型工作电源电压：3|3.3 V

扇区大小：128Kbyte x 512

支持页面模式：Yes

定时类型：Asynchronous

工作温度：-40 to 85 °C

地址总线宽度：26/25 Bit

接口类型：Parallel

页面大小：8/16 Words/byte

标准包装：Trays

供应商S29GL512P11FFIV10
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S29GL512P11FFIV103.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology SPANSION[SPANSION]SPANSION[SPANSION]的LOGO1561.72 Kbytes共71页S29GL512P11FFIV10的PDF下载地址S29GL-M,AM29PDLI27H,AM29PLI60C,AM29PDL127H,AM29PL320D,AM29PDL129H,AM29LV033MU,AM29LV065M,AM29LV640MU
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Avnet Express		S29GL512P11FFIV10SpansionFLASH 512 MBIT, X8 OR X16, 110 NSEC, 1.8 V I FACE, FBGA-64 - Trays价格未公开
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