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S29GL512N10FAI010 /FLASH, 32MX16, 100NS, PBGA64
S29GL512N10FAI010的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesGL-N

PackageTray

Memory TypeNon-Volatile

Memory FormatFLASH

TechnologyFLASH - NOR

Memory Size512Mb (64M x 8, 32M x 16)

Memory InterfaceParallel

Clock Frequency-

Write Cycle Time - Word, Page-

Access Time100 ns

Voltage - Supply2.7V ~ 3.6V

Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)

Mounting TypeSurface Mount

Package / Case-

Supplier Device Package-

供应商S29GL512N10FAI010
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S29GL512N10FAI0103.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit™ Process Technology SPANSION[SPANSION]SPANSION[SPANSION]的LOGO2631.99 Kbytes共100页S29GL512N10FAI010的PDF下载地址S29GL-M,S29GL-P,AM29PDLI27H,AM29PLI60C,AM29PDL127H,AM29PL320D,AM29PDL129H,AM30LV0064D,AM29BL162C
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S29GL512N10FAI010Cypress Semiconductor CorpFLASH, 32MX16, 100NS, PBGA64$18.34000