制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323T-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:1.3 A

Rds On-漏源导通电阻:260 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:2.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:0.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:0.85 mm

长度:2 mm

系列:RZF013P01

晶体管类型:1 P-Channel MOSFET

宽度:1.7 mm

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:RZF013P01

单位重量:28 mg