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RZE002P02TL /MOSFET 1.2V DRVE PCH MOSFET
RZE002P02TL的规格信息
RZE002P02TL的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-416-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:200 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:1.4 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:RZE002P02

晶体管类型:1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:0.2 S

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:RZE002P02

单位重量:8 mg

供应商RZE002P02TL
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RZE002P02TL连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 100uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:P沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO158.90 Kbytes共5页RZE002P02TL的PDF下载地址
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RZE002P02TLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 200MA EMT3$0.47000
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
RZE002P02TLROHM SemiconductorMOSFET 1.2V DRVE PCH MOSFET1:¥3.4578
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Mouser 贸泽电子
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RZE002P02TLROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 100uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:P沟道5+:¥0.479756
50+:¥0.363379
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