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RW1E014SNT2R /MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
RW1E014SNT2R的规格信息
RW1E014SNT2R的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-563T-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:1.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:700 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:RW1E014SN

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns

工厂包装数量:8000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:RW1E014SN

单位重量:3 mg

供应商RW1E014SNT2R
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