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RV2C001ZPT2L /MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
RV2C001ZPT2L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN1006-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Pd-功率耗散:100 mW

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:0.4 mm

长度:1 mm

系列:RV2C001ZP

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:0.6 mm

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:120 mS

下降时间:137 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:62 ns

工厂包装数量:8000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:325 ns

典型接通延迟时间:46 ns

零件号别名:RV2C001ZP

供应商RV2C001ZPT2L
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