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RU8205G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 5A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道
RU8205G的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻40mΩ @ 5A,2.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W

类型双N沟道

供应商RU8205G
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芯莱德电子(香港)有限公司RU8205G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市瑞浩芯科技有限公司RU8205G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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RU8205GRuichips(锐骏半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 5A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道10+:¥0.366226
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