RU6085H
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道
RU6085H的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻7mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W
类型N沟道
RU6085H
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RU6085H | N-Channel Advanced Power MOSFET | RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd] | ![RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/899RUICHIPS.GIF) | 641.99 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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 立创商城 | RU6085H | Ruichips(锐骏半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 | 1+:¥1.6348 10+:¥1.2349 30+:¥1.1615 100+:¥1.088 500+:¥1.0554 1000+:¥1.0393
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