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RTF016N05TL /MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
RTF016N05TL的规格信息
RTF016N05TL的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323T-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:45 V

Id-连续漏极电流:1.6 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:2.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:0.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:0.85 mm

长度:2 mm

系列:RTF016N05

晶体管类型:1 N-Channel MOSFET

宽度:1.7 mm

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:RTF016N05

供应商RTF016N05TL
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