系列：RSU

高度：0.8 mm

长度：2 mm

类型：MOSFET

宽度：1.25 mm

安装风格：SMD/SMT

配置：Single

典型接通延迟时间：8 ns

上升时间：5 ns

Vgs-栅极-源极电压：20 V

Pd-功率耗散：200 mW

通道数量：1 Channel

Id-连续漏极电流：- 250 mA

Vds-漏源极击穿电压：- 30 V

晶体管类型：1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：1.6 Ohms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：P-Channel

典型关闭延迟时间：30 ns

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：250mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：30pF @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：200mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.4 欧姆 @ 250mA，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

封装形式Package：UMT

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：0.25A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs