FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：13A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：35nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2000pF @ 10V

Vgs（最大值）：20V

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：8.1 毫欧 @ 13A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOP

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：13A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs