FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.5A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：950pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：600mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：470 毫欧 @ 1.5A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

封装形式Package：TSMT

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：100V

连续漏极电流ID：1.5A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs