标准包装：1,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：55A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：16.8 毫欧 @ 27.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：143nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：6150pF @ 25V
功率 - 最大值：100W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-83
供应商器件封装：LPTS
其它名称：RSJ550N10TLTR