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RS3E180ATTB1 /RS3E180AT IS A POWER MOSFET FOR
RS3E180ATTB1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型P 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)18A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)5.4mOhm @ 18A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)160nC @ 10V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)7200pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散(最大值)1.4W(Ta)

工作温度150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-SOP

封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商RS3E180ATTB1
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