FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：8nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：800pF @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：320mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：50 毫欧 @ 3.5A，10V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-SMD，扁平引线
封装形式Package：TUMT
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：3.5A
无铅情况/RoHs：否