FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：39nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3600pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：10V
功率耗散（最大值）：650mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.6 毫欧 @ 10A，10V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-SOP
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs