包装标准卷带

系列-

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）16V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）-

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）750mV @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）750mV @ 1mA

Vgs（最大值）±5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）102pF @ 0V

FET 功能-

功率耗散（最大值）15W（Tc）

工作温度150°C

安装类型表面贴装型

供应商器件封装2-HWSON（5x4）

封装/外壳3-DFN 裸露焊盘