FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）12.7nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs5V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1000pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds10V

功率耗散（最大值）2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）12 毫欧 @ 12.5A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装MPT6

封装/外壳6-SMD，扁平引线

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs