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RN2503(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN2503(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：RN2501-06 -

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：22k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：22k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：70 @ 10mA，5V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：200MHz

功率 - 最大值：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74A，SOT-753

供应商器件封装：SMV

其它名称：RN2503(TE85LF)TR

供应商RN2503(TE85L,F)
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Arrow(艾睿)		RN2503(TE85L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 - 分立半导体产品3000+:￥0.61
6000+:￥0.55
15000+:￥0.49
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